產品名稱：臥式移動陰鍍膜機

產品型號：CRT-HM1050HorizontalMovingCathodeCoater

設備用途：在釹鐵硼、玻璃、特種金屬和塑料塊（柱或顆粒）表面上沉積鏑Dy、鋱Te和鋁Al等金屬和陶瓷膜。

武漢科瑞達真空科技有限有限公司的CRT-HM1050臥式移動陰極鍍膜機為實現在釹鐵硼陶瓷表面上實現Dy、Te和Al等功能膜層的生產線前期中式鍍膜而設計，是一種基于線性陰極磁控濺射鍍膜技術的特種鍍膜機，本機可以采用線性磁控濺射陰極，如單/孿生平面磁控濺射陰極、單/孿生旋轉磁控濺射陰極；因此可以采用多種磁控濺射工藝，直流磁控濺射、直流偏壓磁控濺射、中頻磁控濺射和射頻磁控濺射為特定的膜層材料進行調試生產。

設備設計：

臥式平板連續磁控濺射鍍膜被廣泛應用于各種薄膜的大批量生產中。例如在大面積磁電薄膜、大面積光電薄膜、大面積導電膜、大面積建筑薄膜和特種表面改性薄膜等。每種薄膜具有它本身特種的鍍膜工藝，在實現大面積連續生產之前，必須對生產工藝進行詳細的考察和試驗，并進行中試生產試驗，本設備因此而設計。并可擴展至沉積各種陶瓷、金屬、玻璃和塑料的柱狀、塊狀和顆粒狀形態表面。

技術特點：

1、操作：全/半自動，操作方便；

2、真空進片節拍；小于20min一架；

3、陰極：一套線性濺射陰極；

4、濺射電源：直流/中頻；

5、鍍膜：Dy、Te和Al等功能膜層；

6、膜厚控制：較精 確受控陰極移動次數；

7、真空：分子泵+羅茨泵和機械泵；

8、輔助源：偏壓源；

9、加熱：采用鎧裝加熱管加熱

10、工件架：全自動進出片；

11、工藝控制：全自動面板顯示輸入。

技術參數：

1、安裝：W3600*L2000*H2400mm；

2、腔體：W1450*L1650*H650mm

3、裝載：W800*L900mm；

4、陰極：線性濺射陰極；

5、靶材：Te（鋱）、Dy（鏑）、Al、Ti、Cr、Ni、Cu、Si、C（石墨）、In、Ga、ITO、AZO和GZO等

6、真空范圍：ATM-6*10-4Pa；

7、輔助源：偏壓源；

8、沉積率：較精 確受控的陰極移動次數；

9、真空：截止閥控制流量計工藝氣體；

11、電源：三相四線制50HZ

12、外接法蘭：KF16和KF25

13、真空獲得：機械泵、羅茨泵和分子泵

設備結構介紹：由真空室、真空機組、工裝系統、工藝控制和電氣控制系統組成。

1、真空室

臥式不銹鋼腔體（外壁水冷系統），底部抽氣，鉸鏈氣缸上下升降開門；配φ100觀察窗（含防污擋板）、預抽接口、分子泵接口、高低真空計接口和充氣接口；腔體側壁內部全部設計有加熱反射板、配有四組Φ10的冷卻管被擋板保護等，針對沉積Te（鋱）、Dy（鏑）工藝，可以通入冷卻水或者冷卻媒體進行腔體內部降溫。

2、真空機組

采用兩分子泵FF250+機械泵RVP24/TRP90提供高真空抽氣；分子泵與真空室采用插板閥隔離，獲得快速工件換裝抽氣。分子泵和高閥設計安裝在腔體頂部或底部，配有相應的插板閥和氣動角閥，配有復合式數顯真空測量儀。

3、工裝系統

W1000*L1050mm（工裝夾具可定做），整個W800*L900mm區域為工裝沉積區，有效沉積高度為小于25mm，工裝系統由電機通過磁流體導入動力帶動工件架運動，同時通過光電檢測任意控制運行速度和運行位置；陰極移動動力也通過磁流體導入，速度任意調整。

4、濺射鍍膜系統

真空腔體為W1450*L1650*H650mm的不銹鋼腔體，在腔體的底部布置設計有抽氣系統，真空監控裝置，加熱接口，冷卻接口，可以任意配置中頻孿生濺射陰極、中頻平面濺射陰極、直流磁控濺射陰極和線性離子源輔助沉積系統?？梢酝瓿筛鞣N膜層的濺射鍍膜。