產品名稱：立式中試鍍膜機

產品型號：CRT-V250PilotCoater

設備用途：樣品制備，采用磁控濺射工藝沉積鉬Mo、鋁Al、AZO、銦鎵InGa、銅鎵CuGa、碲化鎘CdTe等太陽能電池功能膜。

科瑞達真空的CRT-H250中試鍍膜機可以靈活的采用孿生磁控濺射工藝、直流共濺射工藝、直流濺射工藝、和射頻濺射等鍍膜工藝進行鍍膜，廣泛應用于CIGS薄膜太陽能電池、CdTe薄膜太陽能電池、金屬導電層、實驗室多種鍍膜方式進行復合膜層的鍍膜沉積。

設計和用途：

CRT-V250中試鍍膜機為實現大面積連續磁控濺射工藝調試的試驗線，采用模塊化立式腔體設計，按照實際工藝的需要選用工藝模塊，可以實現多種材料濺射工藝，共沉積工藝，也多種材料的復合膜層沉積。

鍍膜機分為過渡段和鍍膜工藝段；鍍膜段有兩個靶材尺寸為80*360mm的平面直流磁控濺射陰極；基片架子采用雙導桿磁導向傳送；基片架加熱采用鎧裝加熱管進行加熱，同時采用銅電機石墨電接入，防止加熱管電接入的穩定和真空打弧。

技術特點：

1、操作：全自動，操作方便；

2、陰極：38mm直徑的0.1-2mm厚靶；

3、濺射：中頻濺射、直流濺射和射頻濺射；

4、較精 確控制：較精 確控制沉積膜層厚度，膜厚計為功率*時*次；

5、真空：針閥控制工藝氣流量，穩定真空；

6、抽氣：機械泵、分子泵和插板閥；

7、膜層質量：濺射沉積工藝可重復性好；

8、預設控制：預設定工藝參數，分子泵不停機，快速重復鍍膜；

9、溫度場：基片架采用鎧裝加熱管加熱

10、基片架：雙導桿磁導向往復運行。

技術參數：

1、安裝：W1460*L2260*H2020mm；

2、腔體：內空W220*L2200*H1020mm

3、裝載架：W350*L350mm可裝載區；

4、靶材：單靶/雙靶80mm*360mm靶；

5、加熱盤：W250*L250mm；

6、真空范圍：ATM*10-5Pa；

7、濺射：直流、中頻和射頻磁控濺射；

8、沉積率：0-50nm/min，0.5nm精度；

9、設計：模塊化，可增加模塊；

10、工藝：流量計和針閥控工藝氣體；

11、電源：220V50HZ

12、外接法蘭：KF16和KF25

13、真空獲得：機械泵、分子泵和插板閥

設備結構介紹：

該設備由真空室、真空泵組、裝載架、陰極、真空計量和工藝氣體控制系統組成。

1、真空室

箱式不銹鋼腔體（外壁水冷系統），鉸鏈開門；視窗、預抽接口、分子泵接口、KF高低真空計和充氣接口；腔體側壁內部全部設計有三層加熱反射板、配有兩組1.5KW鎧裝加熱器、四個溫度探測點、加熱器被不銹鋼濺射擋板保護等。

2、真空機組

兩組分子泵FF200/1300+機械泵TRP12提供高真空抽氣，和工藝維護抽氣系統；由機械泵TRP12提供腔體前級抽氣系統，獲得快速工件換裝抽氣。分子泵和高閥設計安裝在腔體頂部，配有相應的插板閥和氣動角閥，配有復合式數顯真空測量儀。

3、工藝系統

工藝控制系統配置有兩套靶材為80*360mm的平面內置永磁陰極、一套進口AE雙路5KW直流電源、四個工藝流量計（帶截止閥）、濺射擋板裝置和工裝加熱旋轉自動控制系統；配置有多組冷卻水盤管，有效帶走沉積過程中產生的熱量。

分子泵和高閥設計安裝在腔體頂部，配有相應的插板閥和氣動角閥，配有復合式數顯真空測量儀，工藝真空可以從10-2Pa-5000Pa，可以滿足濺射工藝，真空氣氛退火工藝和氣氛保護退火工藝等。

產品名稱：立式中試鍍膜機

產品型號：CRT-V250 Pilot Coater

設備用途：樣品制備，采用磁控濺射工藝沉積鉬Mo、鋁Al、AZO、銦鎵InGa、銅鎵CuGa、碲化鎘CdTe等太陽能電池功能膜。

科瑞達真空的CRT-H250中試鍍膜機可以靈活的采用孿生磁控濺射工藝、直流共濺射工藝、直流濺射工藝、和射頻濺射等鍍膜工藝進行鍍膜，廣泛應用于CIGS薄膜太陽能電池、CdTe薄膜太陽能電池、金屬導電層、實驗室多種鍍膜方式進行復合膜層的鍍膜沉積。