產品名稱:立式中試鍍膜機
產品型號:CRT-V250PilotCoater
設備用途:樣品制備,采用磁控濺射工藝沉積鉬Mo、鋁Al、AZO、銦鎵InGa、銅鎵CuGa、碲化鎘CdTe等太陽能電池功能膜。
科瑞達真空的CRT-H250中試鍍膜機可以靈活的采用孿生磁控濺射工藝、直流共濺射工藝、直流濺射工藝、和射頻濺射等鍍膜工藝進行鍍膜,廣泛應用于CIGS薄膜太陽能電池、CdTe薄膜太陽能電池、金屬導電層、實驗室多種鍍膜方式進行復合膜層的鍍膜沉積。
設計和用途:
CRT-V250中試鍍膜機為實現大面積連續磁控濺射工藝調試的試驗線,采用模塊化立式腔體設計,按照實際工藝的需要選用工藝模塊,可以實現多種材料濺射工藝,共沉積工藝,也多種材料的復合膜層沉積。
鍍膜機分為過渡段和鍍膜工藝段;鍍膜段有兩個靶材尺寸為80*360mm的平面直流磁控濺射陰極;基片架子采用雙導桿磁導向傳送;基片架加熱采用鎧裝加熱管進行加熱,同時采用銅電機石墨電接入,防止加熱管電接入的穩定和真空打弧。
技術特點:
1、操作:全自動,操作方便;
2、陰極:38mm直徑的0.1-2mm厚靶;
3、濺射:中頻濺射、直流濺射和射頻濺射;
4、較精 確控制:較精 確控制沉積膜層厚度,膜厚計為功率*時*次;
5、真空:針閥控制工藝氣流量,穩定真空;
6、抽氣:機械泵、分子泵和插板閥;
7、膜層質量:濺射沉積工藝可重復性好;
8、預設控制:預設定工藝參數,分子泵不停機,快速重復鍍膜;
9、溫度場:基片架采用鎧裝加熱管加熱
10、基片架:雙導桿磁導向往復運行。
技術參數:
1、安裝:W1460*L2260*H2020mm;
2、腔體:內空W220*L2200*H1020mm
3、裝載架:W350*L350mm可裝載區;
4、靶材:單靶/雙靶80mm*360mm靶;
5、加熱盤:W250*L250mm;
6、真空范圍:ATM*10-5Pa;
7、濺射:直流、中頻和射頻磁控濺射;
8、沉積率:0-50nm/min,0.5nm精度;
9、設計:模塊化,可增加模塊;
10、工藝:流量計和針閥控工藝氣體;
11、電源:220V50HZ
12、外接法蘭:KF16和KF25
13、真空獲得:機械泵、分子泵和插板閥
設備結構介紹:
該設備由真空室、真空泵組、裝載架、陰極、真空計量和工藝氣體控制系統組成。
1、真空室
箱式不銹鋼腔體(外壁水冷系統),鉸鏈開門;視窗、預抽接口、分子泵接口、KF高低真空計和充氣接口;腔體側壁內部全部設計有三層加熱反射板、配有兩組1.5KW鎧裝加熱器、四個溫度探測點、加熱器被不銹鋼濺射擋板保護等。
2、真空機組
兩組分子泵FF200/1300+機械泵TRP12提供高真空抽氣,和工藝維護抽氣系統;由機械泵TRP12提供腔體前級抽氣系統,獲得快速工件換裝抽氣。分子泵和高閥設計安裝在腔體頂部,配有相應的插板閥和氣動角閥,配有復合式數顯真空測量儀。
3、工藝系統
工藝控制系統配置有兩套靶材為80*360mm的平面內置永磁陰極、一套進口AE雙路5KW直流電源、四個工藝流量計(帶截止閥)、濺射擋板裝置和工裝加熱旋轉自動控制系統;配置有多組冷卻水盤管,有效帶走沉積過程中產生的熱量。
分子泵和高閥設計安裝在腔體頂部,配有相應的插板閥和氣動角閥,配有復合式數顯真空測量儀,工藝真空可以從10-2Pa-5000Pa,可以滿足濺射工藝,真空氣氛退火工藝和氣氛保護退火工藝等。
產品名稱:立式中試鍍膜機
產品型號:CRT-V250 Pilot Coater
設備用途:樣品制備,采用磁控濺射工藝沉積鉬Mo、鋁Al、AZO、銦鎵InGa、銅鎵CuGa、碲化鎘CdTe等太陽能電池功能膜。
科瑞達真空的CRT-H250中試鍍膜機可以靈活的采用孿生磁控濺射工藝、直流共濺射工藝、直流濺射工藝、和射頻濺射等鍍膜工藝進行鍍膜,廣泛應用于CIGS薄膜太陽能電池、CdTe薄膜太陽能電池、金屬導電層、實驗室多種鍍膜方式進行復合膜層的鍍膜沉積。